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產(chǎn)品資料
首頁(yè) >>> 產(chǎn)品中心 >>> 儀器儀表 >>> 真空計(jì) >>> M-336MX半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)

半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)

產(chǎn)品名稱: 半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)
產(chǎn)品型號(hào): M-336MX
產(chǎn)品特點(diǎn): 半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)
半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?¹¹ – 1×10?² Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg

半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì) 的詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)

半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)

半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg

一、產(chǎn)品定位

  • 半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用:MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
  • 晶體離子真空計(jì):晶振 + 離子復(fù)合,5×10?11 – 1×10?2 Pa
  • 高真空/超高真空:10?11 Pa 級(jí),適合超高真空工藝監(jiān)測(cè)
  • M-336MX:晶振 + 離子復(fù)合,0.1 s 響應(yīng),重量 0.9 kg

二、核心技術(shù)參數(shù)(M-336MX)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
原理晶體離子復(fù)合(晶振 + 離子)
測(cè)量范圍5×10?11 – 1×10?2 Pa(5×10?11 – 1×10?2 Torr)
精度±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa)
響應(yīng)時(shí)間0.1 s(晶振) / 1 s(離子)
輸出信號(hào)0-10 V + RS-485 + 4-20 mA(實(shí)時(shí))
真空接口NW16(可轉(zhuǎn) NW25/NW40)
接觸材料316L + 藍(lán)寶石(晶振)
溫度范圍-10 – 80 ℃(無(wú)凝露)
電源DC 24 V 1 A(含 100-240 V 適配器)
尺寸/重量Φ25×80 mm,0.9 kg
壽命10 年(連續(xù)運(yùn)行)

三、功能亮點(diǎn)

  1. 5×10?11 Pa 超高真空:晶振 + 離子復(fù)合,10?11 Pa 級(jí)監(jiān)測(cè)
  2. 0.1 s 高速響應(yīng):晶振 0.1 s,適合快速真空變化
  3. 0.9 kg 超輕:可直接貼腔體,不增加機(jī)械負(fù)載
  4. ±10 % 高精度:±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa),工藝重復(fù)性高
  5. 0-10 V + RS-485:實(shí)時(shí)真空度,可接 PLC / DCS
  6. 10 年壽命:晶振 + 離子復(fù)合,10 年免維護(hù)

四、典型應(yīng)用系統(tǒng)

復(fù)制
半導(dǎo)體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│                   │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│                   │└─ PLC/DCS ──────┘
  • 真空度 5×10?11 Pa,0.1 s 響應(yīng),工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
  • RS-485 實(shí)時(shí)輸出,PLC 閉環(huán)控制

五、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)(半導(dǎo)體驗(yàn)證)

  • 真空腔:1×10?11 Pa,25 ℃
  • M-336MX:
    • 真空度 5×10?11 Pa(0.1 s)
    • 精度 ±10 %(5×10?11 Pa)
    • 壽命 10 年(連續(xù)運(yùn)行)
半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg

一、產(chǎn)品定位

  • 半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用:MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
  • 晶體離子真空計(jì):晶振 + 離子復(fù)合,5×10?11 – 1×10?2 Pa
  • 高真空/超高真空:10?11 Pa 級(jí),適合超高真空工藝監(jiān)測(cè)
  • M-336MX:晶振 + 離子復(fù)合,0.1 s 響應(yīng),重量 0.9 kg

二、核心技術(shù)參數(shù)(M-336MX)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
原理晶體離子復(fù)合(晶振 + 離子)
測(cè)量范圍5×10?11 – 1×10?2 Pa(5×10?11 – 1×10?2 Torr)
精度±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa)
響應(yīng)時(shí)間0.1 s(晶振) / 1 s(離子)
輸出信號(hào)0-10 V + RS-485 + 4-20 mA(實(shí)時(shí))
真空接口NW16(可轉(zhuǎn) NW25/NW40)
接觸材料316L + 藍(lán)寶石(晶振)
溫度范圍-10 – 80 ℃(無(wú)凝露)
電源DC 24 V 1 A(含 100-240 V 適配器)
尺寸/重量Φ25×80 mm,0.9 kg
壽命10 年(連續(xù)運(yùn)行)

三、功能亮點(diǎn)

  1. 5×10?11 Pa 超高真空:晶振 + 離子復(fù)合,10?11 Pa 級(jí)監(jiān)測(cè)
  2. 0.1 s 高速響應(yīng):晶振 0.1 s,適合快速真空變化
  3. 0.9 kg 超輕:可直接貼腔體,不增加機(jī)械負(fù)載
  4. ±10 % 高精度:±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa),工藝重復(fù)性高
  5. 0-10 V + RS-485:實(shí)時(shí)真空度,可接 PLC / DCS
  6. 10 年壽命:晶振 + 離子復(fù)合,10 年免維護(hù)

四、典型應(yīng)用系統(tǒng)

復(fù)制
半導(dǎo)體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│                   │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│                   │└─ PLC/DCS ──────┘
  • 真空度 5×10?11 Pa,0.1 s 響應(yīng),工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
  • RS-485 實(shí)時(shí)輸出,PLC 閉環(huán)控制

五、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)(半導(dǎo)體驗(yàn)證)

  • 真空腔:1×10?11 Pa,25 ℃
  • M-336MX:
    • 真空度 5×10?11 Pa(0.1 s)
    • 精度 ±10 %(5×10?11 Pa)
    • 壽命 10 年(連續(xù)運(yùn)行)



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