半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)
產(chǎn)品名稱: 半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)
產(chǎn)品型號(hào): M-336MX
產(chǎn)品特點(diǎn): 半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空5×10?¹¹ – 1×10?² Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg
半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì) 的詳細(xì)介紹
半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)
半導(dǎo)體制造測(cè)量用高真空工藝監(jiān)測(cè)真空計(jì)
半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg
一、產(chǎn)品定位
半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用:MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
晶體離子真空計(jì):晶振 + 離子復(fù)合,5×10?11 – 1×10?2 Pa
高真空/超高真空:10?11 Pa 級(jí),適合超高真空工藝監(jiān)測(cè)
M-336MX:晶振 + 離子復(fù)合,0.1 s 響應(yīng),重量 0.9 kg
二、核心技術(shù)參數(shù)(M-336MX)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|
| 原理 | 晶體離子復(fù)合(晶振 + 離子) |
| 測(cè)量范圍 | 5×10?11 – 1×10?2 Pa(5×10?11 – 1×10?2 Torr) |
| 精度 | ±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa) |
| 響應(yīng)時(shí)間 | 0.1 s(晶振) / 1 s(離子) |
| 輸出信號(hào) | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA(實(shí)時(shí)) |
| 真空接口 | NW16(可轉(zhuǎn) NW25/NW40) |
| 接觸材料 | 316L + 藍(lán)寶石(晶振) |
| 溫度范圍 | -10 – 80 ℃(無(wú)凝露) |
| 電源 | DC 24 V 1 A(含 100-240 V 適配器) |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm,0.9 kg |
| 壽命 | 10 年(連續(xù)運(yùn)行) |
三、功能亮點(diǎn)
5×10?11 Pa 超高真空:晶振 + 離子復(fù)合,10?11 Pa 級(jí)監(jiān)測(cè)
0.1 s 高速響應(yīng):晶振 0.1 s,適合快速真空變化
0.9 kg 超輕:可直接貼腔體,不增加機(jī)械負(fù)載
±10 % 高精度:±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa),工藝重復(fù)性高
0-10 V + RS-485:實(shí)時(shí)真空度,可接 PLC / DCS
10 年壽命:晶振 + 離子復(fù)合,10 年免維護(hù)
四、典型應(yīng)用系統(tǒng)
半導(dǎo)體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘
五、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)(半導(dǎo)體驗(yàn)證)
真空腔:1×10?11 Pa,25 ℃
M-336MX:
真空度 5×10?11 Pa(0.1 s)
精度 ±10 %(5×10?11 Pa)
壽命 10 年(連續(xù)運(yùn)行)
半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg
一、產(chǎn)品定位
半導(dǎo)體制造裝置測(cè)量用:MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
晶體離子真空計(jì):晶振 + 離子復(fù)合,5×10?11 – 1×10?2 Pa
高真空/超高真空:10?11 Pa 級(jí),適合超高真空工藝監(jiān)測(cè)
M-336MX:晶振 + 離子復(fù)合,0.1 s 響應(yīng),重量 0.9 kg
二、核心技術(shù)參數(shù)(M-336MX)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|
| 原理 | 晶體離子復(fù)合(晶振 + 離子) |
| 測(cè)量范圍 | 5×10?11 – 1×10?2 Pa(5×10?11 – 1×10?2 Torr) |
| 精度 | ±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa) |
| 響應(yīng)時(shí)間 | 0.1 s(晶振) / 1 s(離子) |
| 輸出信號(hào) | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA(實(shí)時(shí)) |
| 真空接口 | NW16(可轉(zhuǎn) NW25/NW40) |
| 接觸材料 | 316L + 藍(lán)寶石(晶振) |
| 溫度范圍 | -10 – 80 ℃(無(wú)凝露) |
| 電源 | DC 24 V 1 A(含 100-240 V 適配器) |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm,0.9 kg |
| 壽命 | 10 年(連續(xù)運(yùn)行) |
三、功能亮點(diǎn)
5×10?11 Pa 超高真空:晶振 + 離子復(fù)合,10?11 Pa 級(jí)監(jiān)測(cè)
0.1 s 高速響應(yīng):晶振 0.1 s,適合快速真空變化
0.9 kg 超輕:可直接貼腔體,不增加機(jī)械負(fù)載
±10 % 高精度:±10 %(5×10?11 – 1×10?2 Pa),工藝重復(fù)性高
0-10 V + RS-485:實(shí)時(shí)真空度,可接 PLC / DCS
10 年壽命:晶振 + 離子復(fù)合,10 年免維護(hù)
四、典型應(yīng)用系統(tǒng)
半導(dǎo)體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘
五、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)(半導(dǎo)體驗(yàn)證)
真空腔:1×10?11 Pa,25 ℃
M-336MX:
真空度 5×10?11 Pa(0.1 s)
精度 ±10 %(5×10?11 Pa)
壽命 10 年(連續(xù)運(yùn)行)